NCE40H21 دیتاشیت

NCE40H21

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE40H21
حجم فایل 78.028 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NCE40H21

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40H21
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 310W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 239nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 10.331nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 210A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.045nF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه